Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

При этом ток достигает максимального значения, равного (рис.4, в) (2) Такой режим работы диода Ганна называют пролетным режимом. В пролетном режиме ток через диод представляет собой импульсы, следующие с периодом . Диод генерирует СВЧ-колебания с пролетной частотой , определяемой в основном длиной образца и слабо зависящей от нагрузки (именно такие колебания наблюдал Ганн при исследовании образцов из GaAs и I Р). Электронные процессы в диоде Ганна должны рассматриваться с учетом уравнений Пуассона, непрерывности и полной плотности тока, имеющих для одномерного случая следующий вид: . (4) Рис.4. Эквивалентная схема генератора на диоде Ганна (а) и временные зависимости напряжения (б) и тока через диод Ганна в пролетном режиме (в) и в режимах с задержкой (г) и гашением домена (д). Мгновенное напряжение на диоде . Полный ток не зависит от координаты и является функцией времени. Часто коэффициент диффузии считают не зависящим от электрического поля. В зависимости от параметров диода (степени и профиля легирования материала, длины и площади сечения образца и его температуры), а также от напряжения питания и свойств нагрузки диод Ганна, как генератор и усилитель СВЧ-диапазона, может работать в различных режимах: доменных, ограничения накопления объемного заряда (ОНОЗ, в иностранной литературе LSA–Limi ed Space Charge Accumula io ), гибридном, бегущих волн объемного заряда, отрицательной проводимости. Доменные режимы работы. Для доменных режимов работы диода Ганна характерно наличие в образце сформировавшегося дипольного домена в течение значительной части периода колебаний. Характеристики стационарного дипольного домена подробно рассмотрены в , где показано, что из (1), (3) и (4) следует, что скорость домена связаны правилом равных площадей . (5) В соответствии с (5) площади, заштрихованные на рис.5, а и ограниченные линиями , являются одинаковыми. Как видно из рисунка, максимальная напряженность поля вне домена и может достигать десятков кВ/см. Рис.5. К определению параметров дипольного домена. На рис.5, б приведена зависимость напряжения домена от напряженности электрического поля вне его, где –длина домена (рис.3, в). Там же построена «приборная прямая» диода длиной с учетом того, что полное напряжение на диоде . Точка пересечения А определяет напряжение домена . Следует иметь в виду, что домен возникает при постоянном напряжении , однако он может существовать и тогда, когда в процессе движения домена к аноду напряжение на диоде уменьшается до значения (пунктирная линия на рис.5, б). Если еще более понизить напряжение на диоде так, что оно станет меньше напряжения гашения домена , возникший домен рассасывается. Напряжение гашения соответствует моменту касания «приборной прямой» к линии на рис.5, б. Таким образом, напряжение исчезновения домена оказывается меньше порогового напряжения формирования домена. Как видно из рис.5, вследствие резкой зависимости избыточного напряжения на домене от напряженности поля вне домена поле вне домена и скорость домена мало изменяются при изменении напряжения на диоде. Избыточное напряжение поглощается в основном в домене. Уже при скорость домена лишь немного отличается от скорости насыщения и можно приближенно считать , поэтому пролетная частота, как характеристика диода, обычно определяется выражением: (6) Длина домена зависит от концентрации донорной примеси, а также от напряжения на диоде и при составляет 5–10 мкм.

Диоды Ганна в режиме ОНОЗ работают чаще всего в импульсном режиме с большой скважностью и генерируют в сантиметровом диапазоне длин волн мощность до единиц киловатт. Частота генераторов на диодах Ганна определяется в основном резонансной частотой колебательной системы с учетом емкостной проводимости диода и может перестраиваться в широких пределах механическими и электрическими методами. В волноводном генераторе (рис.10, а) диод Ганна 1 установлен между широкими стенками прямоугольного волновода в конце металлического стержня. Напряжение смещения подается через дроссельный ввод 2, который выполнен в виде отрезков четвертьволновых коаксиальных линий и служит для предотвращения проникновения СВЧ-колебаний в цепь источника питания. Низкодобротный резонатор образован элементами крепления диода в волноводе. Частота генератора перестраивается с помощью варакторного диода 3, расположенного на полуволновом расстоянии и установленного в волноводе аналогично диоду Ганна. Часто диоды включают в волновод с уменьшенной высотой , который соединен с выходным волноводом стандартного сечения четвертьволновым трансформатором. Рис.10. Устройство генераторов на диодах Ганна: а–волноводного; б–микрополоскового; в–с перестройкой частоты ЖИГ-сферой В микрополосковой конструкции (рис.10, б) диод 1 включен между основанием и полосковым проводником. Для стабилизации частоты используется высокодобротный диэлектрический резонатор 4 в виде диска из диэлектрика с малыми потерями и высоким значением (например, из титаната бария), расположенного вблизи полоскового проводника МПЛ шириной . Конденсатор 5 служит для разделения цепей питания и СВЧ-тракта. Напряжение питания подается через дроссельную цепь 2, состоящую из двух четвертьволновых отрезков МПЛ с различными волновыми сопротивлениями, причем линия с малым сопротивлением разомкнута. Использование диэлектрических резонаторов с положительным температурным коэффициентом частоты позволяет создавать генераторы с малыми уходами частоты при изменении температуры (~40 кГц/°С). Перестраиваемые по частоте генераторы на диодах Ганна могут быть сконструированы с применением монокристаллов железоиттриевого граната (рис.10, в). Частота генератора в этом случае изменяется за счет перестройки резонансной частоты высокодобротного резонатора, имеющего вид ЖИГ–сферы малого диаметра, при изменении магнитного поля . Максимальная перестройка достигается в бескорпусных диодах, имеющих минимальные реактивные параметры. Высокочастотный контур диода состоит из короткого витка, охватывающего ЖИГ–сферу 6. Связь контура диода с контуром нагрузки осуществляется за счет взаимной индуктивности, обеспечиваемой ЖИГ–сферой и ортогонально расположенными витками связи. Диапазон электрической перестройки таких генераторов, широко используемых в автоматических измерительных устройствах, достигает октавы при выходной мощности 10–20 мВт. Следует отметить, что расчет генераторов на диодах Ганна затруднен приблизительным характером данных как о параметрах эквивалентной схемы диода, так и о параметрах эквивалентной схемы колебательной системы, а также узла крепления диода (особенно на высоких частотах).

Министерство образования Российской Федерации Орловский Государственный Технический Университет Кафедра физики РЕФЕРАТ на тему: «Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме». Дисциплина: «Физические основы микроэлектроники» Выполнил студент группы 3–4 Сенаторов Д.Г. Руководитель: Оценка: Орел. 2000 Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме. Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p- -переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs -типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэтому такие приборы называют диодами Ганна). В отечественной литературе их называют также приборами с объемной неустойчивостью или с междолинным переносом электронов, поскольку активные свойства диодов обусловлены переходом электронов из «центральной» энергетической долины в «боковую», где они характеризуются большой эффективной массой и малой подвижностью. В иностранной литературе последнему названию соответствует термин ТЭД ( ra sferred Elec ro Device). В слабом поле подвижность электронов велика и составляет 6000–8500 см2/(Вс). При напряженности поля выше 3,5 кВ/см за счет перехода части электронов в «боковую» долину средняя дрейфовая скорость электронов уменьшается с ростом поля. Наибольшее значение модуля дифференциальной подвижности на падающем участке примерно втрое ниже, чем подвижность в слабых полях. При напряженности поля выше 15–20 кВ/см средняя скорость электронов почти не зависит от поля и составляет около 107 см/с, так что отношение , а характеристика скорость–поле может быть приближенно аппроксимирована так, как показано на рис.1. Время установления отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП) складывается из времени разогрева электронного газа в «центральной» долине (~10–12 с для GaAs), определяемого постоянной времени релаксации по энергии и времени междолинного перехода (~5-10–14 с). Можно было бы ожидать, что наличие падающего участка характеристики в области ОДП при однородном распределении электрического поля вдоль однородно легированного образца GaAs приведет к появлению падающего участка на вольт-амперной характеристике диода, поскольку значение конвекционного тока через диод определяется как –длина образца между контактами. На этом участке диод характеризовался бы отрицательной активной проводимостью и мог бы использоваться для генерирования и усиления колебаний аналогично туннельному диоду. Однако на практике осуществление такого режима в образце полупроводникового материала с ОДП затруднено из-за неустойчивости поля и объемного заряда. Как было показано в § 8.1, флюктуация объемного заряда в этом случае приводит к нарастанию объемного заряда по закону –постоянная диэлектрической релаксации; –концентрация электронов в исходном -GaAs.

Правила устройства электроустановок в вопросах и ответах. Пособие для изучения и подготовки к проверке знаний

Устройства АОСЧ размещаются и настраиваются таким образом, чтобы они, по возможности: действовали на отключение любого из потребителей; не способствовали нарушению устойчивости параллельной работы по межсистемным связям; способствовали автоматической ресинхронизации дефицитного района или, в случае его полного отделения, автоматической синхронизации с использованием АПВ с улавливанием синхронизма (3.3.91). Вопрос. Какие функции осуществляет комплекс устройств АОСЧ? Ответ. Осуществляет: автоматический частотный ввод резерва; АЧР; дополнительную разгрузку; восстановление питания отключенных потребителей при восстановлении частоты; выделение электростанций или генераторов со сбалансированной нагрузкой, выделение генераторов на питание СН электростанций (3.3.92). Вопрос. Что обеспечивает автоматический частотный ввод резерва? Ответ. Обеспечивает уменьшение объема отключения потребителей и сокращение времени перерыва электроснабжения потребителей, отключенных действием АЧР. Автоматический частотный ввод резерва предусматривает автоматический частотный пуск гидрогенераторов, находящихся в резерве, автоматический перевод в генераторный режим гидрогенераторов, работающих в режиме синхронного компенсатора, автоматическую загрузку турбин после их пуска и т.Pп. (3.3.93). Вопрос ... »

Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме. Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p- -переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs -типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэтому такие приборы называют диодами Ганна). В отечественной литературе их называют также приборами с объемной неустойчивостью или с междолинным переносом электронов, поскольку активные свойства диодов обусловлены переходом электронов из «центральной» энергетической долины в «боковую», где они характеризуются большой эффективной массой и малой подвижностью. В иностранной литературе последнему названию соответствует термин ТЭД ( ra sferred Elec ro Device). В слабом поле подвижность электронов велика и составляет 6000–8500 см2/(Вс). открыть »

Большая Советская Энциклопедия (ГИ)

Многократная реализация случайного процесса возлагается на быстродействующую АВМ, работающую в режиме многократного повторения решения, а обработка результатов, воспроизводство функций на границах области, вычисление функционалов — на ЦВМ. Кроме того, ЦВМ определяет момент окончания счёта. Применение Г. в. с. сокращает время решения задач этого вида на несколько порядков по сравнению с применением только цифровой машины. Аналогичный эффект достигается при использовании Г. в. с. для моделирования процессов распространения возбуждения в биологических системах. Специфика этого процесса заключается в том, что даже в простейших случаях требуется воспроизводить сложную нелинейную систему уравнений в частных производных. Поиск решения задачи оптимального управления для объектов выше третьего порядка обычно связан с большими, часто непреодолимыми, трудностями. Ещё больше они возрастают, если необходимо отыскать оптимальное управление в процессе работы системы. Г. в. с. в значительной степени помогают устранить эти трудности и использовать такие сложные в вычислительном отношении методы, как принцип максимума Понтрягина. Применение Г. в. с. эффективно также при решении нелинейных уравнений в частных производных ... »

Большая Советская Энциклопедия (ПО)

Постоянного тока генератор Постоя'нного то'ка генера'тор, постоянного тока машина , работающая в генераторном режиме. Работа П. т. г. описывается следующими уравнениями: Р = U ×Iя , где Р — полезная мощность, U — напряжение на зажимах, Iя — ток якоря; U = Е — Iя Rя , где Е — эдс якоря, Rя — сопротивление в цепи якоря, Rя = rя + rд + rп (рис. 1 ). Основное требование, предъявляемое к П. т. г., — постоянство напряжения на его зажимах при изменении нагрузки. Зависимость между напряжением на зажимах машины и током нагрузки U = f (l ) называется внешней характеристикой и определяется системой возбуждения П. т. г. Схемы возбуждения представлены на рис. 1 ; внешние характеристики при различных схемах возбуждения показаны на рис. 2 , а. Уменьшение напряжения при росте нагрузки П. т. г. возникает из-за падения напряжения в цепи якоря и размагничивающего действия поля якоря, обусловленного насыщением магнитопровода. Оптимальной является система смешанного возбуждения (устаревшее название — компаундное возбуждение ), при которой можно получить одинаковое напряжение и при холостом ходе, и при номинальной нагрузке ... »

Физические основы микроэлектроники

Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна

Наличие отрицательной проводимости характеризует трансформацию энергии: полупроводниковый элемент потребляет энергию постоянного тока и является источником колебаний ненулевой частоты. Возникновение СВЧ-колебаний в электрической схеме с нелинейным элементом вследствие его детектирующего действия приводит к появлению дополнительной составляющей постоянного тока , то есть возникает так называемый эффект автодинного детектирования (1.6) Детекторный эффект наблюдается в СВЧ-усилителях на биполярных транзисторах, СВЧ-генераторах на лавинно-пролётных диодах (ЛПД), инжекционно-пролётных диодах (ИПД), туннельных диодах (ТД) и диодах Ганна (ДГ). В данной работе мы рассмотрим использование полупроводниковых диодов в качестве СВЧ-автодинов. Сравнительные характеристики полупроводниковых СВЧ-диодов приведены в таблице 1. Таблица 1. Диод Мощность КПД Смещение Шумы ЛПД десятки ватт до 15% десятки Вольт 25 дБ ИПД десятки сотни милливатт единицы % милливольт около 5 дБ ДГ десятки зависит от милливатт - режима 4.5-11 Вольт 10-12 дБ единицы Ватт работы ТД единицы и сотни десятки единицы % милливольт около 5 дБ микроватт Процессы в полупроводниковых приборах описываются тремя основными уравнениями в частных производных : уравнением плотности тока, характеризующим образование направленных потоков заряда; уравнением непрерывности, отражающим накопление и рассасывание подвижных носителей заряда, и уравнением Пуассона, описывающим электрические поля в полупроводнике. открыть »

Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна

Целью дипломной работы являлось исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурных СВЧ-генераторах на диоде Ганна для создания измерителей параметров материалов, вибрации и выявления особенностей их работы. 1. Анализ возможности использования автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и сред. При изменении уровня СВЧ-излучения, воздействующего на полупроводниковые элементы с отрицательным сопротивлением, наблюдается изменение постоянного тока, протекающего через них, что можно понимать как проявление эффекта детектирования . Если прибор с отрицательным сопротивлением является активным элементом СВЧ-генератора, этот эффект называют эффектом автодинного детектирования. Исследование эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах позволило создать устройства, совмещающие несколько радиотехнических функций в одном элементе (например, излучение и приём электромагнитных колебаний). Автодины на полупроводниковых генераторах, получившие к настоящему времени достаточно широкое применение, используются в основном для обнаружения движущихся объектов. открыть »

Интернет-зависимость и ее психологическая характеристика

После проведенного психологического обследования, специалисты обнаружили у миссис Олбридж признаки «синдрома интернета». Еще одним следствием интернета является состояние депрессии без компьютера. Американские психологи провели опрос 200 человек с целью сравнения их реакции на другие стрессовые ситуации. Результаты показали, что каждый восьмой из участников эксперимента считает сбой в работе большим несчастьем, чем разрыв отношений с другом; 68% опрошенных заявили, что посещение тещи по сравнению с компьютерным сбоем просто ерунда; 38% предпочли бы ездить на работу в набитом битком автобусе, чем увидеть на мониторе слова: «Обнаружена ошибка. Требуется перезагрузка.» Инетрнет-зависимый игнорирует повседневные жизненные заботы, так же как и интересы близких. Причем влияние нормальных людей на больного приводит к обратному эффекту. Зависимый становится озлобленным и старается защититься от всех, кто пытается ограничить его использование интернета. Подобно алкоголикам, которые скрывают свою зависимость, интернет-зависимые начинают лгать о количестве времени, проведенного в интернете. открыть »

Туннелирование в микроэлектронике

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ БЕЛАРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОННИКИ Кафедра химии Факультет компьютерного проектирования КУРСОВАЯ РАБОТА по курсу: «Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС» на тему: «ТУННЕЛИРОВАНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ »Выполнил: Приняла: студент гр. 910204 Забелина И. А. Шпаковский В.А. Минск 2001 г. СОДЕРЖАНИЕ стр. 1. Туннельный эффект 3 2. ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 2.1 Контакт металл-металл . .5 2.2 Структура металл-диэлектрик-металл . 8 2.3 Токоперенос в тонких плёнках 10 2.4 Туннельный пробой в p- -переходе 12 2.5 Эффекты Джозефсона .13 2.6 Эффект Франца-Келдышева .15 3 Туннельный диод . 17 Литература .20 1. Туннельный эффект Рассмотрим поведение частицы при прохождении через потенциальный барьер. Пусть частица, движущаяся слева направо, встречает на своём пути потенциальный барьер высоты U0 и ширины l (рис. 1.1). По классическим представлениям движение частицы будет таким: U(x) - если энергия частицы будет больше высоты барьера (E>U0), то частица беспрепятственно проходит над барьером; U0 - если же энергия частицы будет меньше высоты барьера E (EU0 имеется отличная от ну- 0 l x ля вероятность того, что частица отразится от потенциального Рис.1.1 Прохождение частицы барьера и полетит обратно. открыть »

Производство и издержки

Если мы и дальше будем расширять наше предприятие, то кривая средних валовых издержек АТС3 поднимется вверх и минимальные издержки при производстве 3000 булочек будут выше, нежели при производстве 2000 булочек. Дуга АС, описывающая кривые АТС1, АТС2,АТС3, будет представлять собой кривую долгосрочных средних валовых издержек фирмы при разных масштабах производства. Минимальными издержки будут при производстве 2000 булочек ежедневно. Чем объясняется такое положение кривой средних долгосрочных издержек фирмы? Экономисты связывают его с так называемым положительным и отрицательным эффектом масштаба. Эффект масштаба будет положительным, если при увеличении размеров предприятия средние издержки уменьшаются, и отрицательным – если увеличиваются. Существует много объяснений положительного и отрицательного эффекта масштаба. Экономия, обусловленная расширением масштабов производства, вызвана тем, что: . по мере роста размеров предприятия увеличиваются возможности использования преимуществ специализации в производстве и управлении; . на более крупных предприятиях может применяться высокопроизводительное и дорогостоящее оборудование; . больше возможностей для диверсификации деятельности, развития побочных производств, выпуска продукции на базе отходов основного производства. открыть »

Клиническая компьютерная томография

Это основополагающее свойство, которое роднит КТ скорее с физикой, оперирующей точными представлениями о явлении, нежели с рентгенологией, в основе которой лежит способность врача (исследователя) при трактовке явления с помощью своих чувств, эмоционального настроя передать информацию о сути выявленной патологии. Ведь ни для кого не секрет, что одно и то же изображение каждый из нас воспринимает субъективно, с учетом глубины понимания и собственно восприятия процесса, — вот почему рентгенологическому описанию доверяют лишь тогда, когда хорошо знают врача, а в остальных случаях предпочитают подкрепить информацию из описания рентгенологического исследования собственной трактовкой изображения области патологии и требуют от больного рентгеновские снимки. КТ объективна в этой части диагностического процесса — по заданной схеме можно выполнить набор измерений и получить объективную информацию, она не зависит от органов чувств исследователя, но существует сама по себе и обусловлена особенностями изучаемого процесса. Рис. 4 Реконструкция изображения в сагиттальной плоскости Каждое достижение в диагностике порождает своего рода эйфорию, от его использования ожидают небывалого эффекта. открыть »

Типичные пневмонии у детей

Сочетанная терапия пентамидином и ТМП-СМЗ преимуществ не имеет. Оба основных препарата, используемых для лечения ПКП, имеют многочисленные и не полностью совпадающие побочные эффекты. Учитывая высокую антибактериальную активность ТМП-СМЗ, более оправдано его использование при наличии сопутствующей бактериальной инфекции. Пентамидин является препаратом выбора, если у пациента имеется в анамнезе аллергия к сульфосодержащим препаратам. Смертность при адекватно пролеченной ПКП в среднем около 20 %. Чем раньше начинается лечение, тем больше шансов на успех - если терапия начата тогда, когда рентгенограмма еще нормальна или артериоальвеолярный градиент кислорода ниже чем 30 мм рт.ст., смертность снижается с 45-55 % до 10-15 %. ТМП-СМЗ. Дозировка для взрослых 20 мг ТМП, 100 мг СМЗ на кг в день в течение 14-21 дня. Для лечения легких форм ПКП применяются также ингаляции пентамидина (8 мг на кг в день, курс 2-3 недели). Пентамидин-изоэтонат - 4 мг на кг в день, пентамидин-сульфонат (2,3 мг на кг в день). Пентамидин вводится в/в один раз в 250 мл 5% глюкозы. Дапсон применяется по 100 мг 1 раз в день в течение 3 недель. открыть »

История болезни - терапия (хронический латентный гломерулонефрит)

При выраженном обострении возможно назначение одновременно преднизолона в дозе 10--15 мг/сут, что позволяет избежать лейкопении. Азатиоприн следует принимать 3--6 нед, после чего дозу снижают до 100, а затем до 50 мг/сут. Циклофосфан относится к группе алкилирующих препаратов, которые могут применяться per os и внутривенно, он оказывает относительно незначительное угнетающее действие на лейкопоэз. Однако препарат не рекомендуется к применению при уровне лейкоцитов ниже $3 imes 10^9$/л и тромбоцитов ниже $100 imes 10^9$/л. Циклофосфан метаболизируется в печени микросомальными оксидативными ферментами в цитотоксические метаболиты. В основе иммуносупрессивного эффекта лежит разрушение быстропролиферирующих иммунокомпетентных клеток, благодаря чему достигается подавление продукции антител вместе с несколько выраженным торможением Т-клеток. При его использовании могут развиться диспепсические расстройства --- тошнота и рвота. Реже наблюдается выпадение волос. К важнейшим токсическим побочным эффектам относятся: подавление функции костного мозга (лейкопения и тромбоцитопения), повышенная подверженность вирусным и бактериальным инфекциям, бесплодие, облысение, а также повреждения урогенитального тракта с геморрагическим циститом и фиброзом мочевого пузыря. открыть »

Педиатрия (атипичные пневмонии у детей)

Синдром диссеминированного внутрисосудистого свертывания

Если же начало ДВС-синдрома сопровождается профузным кровотечением (маточным, из язвы или распадающейся опухоли и т.д.) либо имеется высокий риск его возникновения (например, в раннем послеоперационном периоде) суточная доза гепарина должна быть снижена в 2–3 раза либо его использование вообще необходимо отменить. В таких ситуациях, как и в фазе глубокой гипокоагуляции (III стадии ДВС-синдрома), введение гепарина используют в основном для прикрытия трансфузий плазмы и крови (например, в начале каждой трансфузии вводят 2 500–5 000 ЕД гепарина капельно вместе с гемопрепаратом). При наличии в крови больного белков "острой фазы" (например, при острых инфекционно-септических процессах, массивной деструкции тканей, ожогах) дозы гепарина должны быть максимальными, потому что при этом происходит инактивация гепарина, что препятствует его антикоагулянтному действию. Недостаточный эффект от действия гепарина может быть связан с блокадой и снижением содержания в плазме больного его плазменного кофактора – антитромбина III. открыть »

Лекции - Педиатрия (патология роста у детей)

Если аллергические реакции слабо выражены то сложно временно прекратить введение препарата, если осложнение тяжелое, то необходима отмена СТГ. В последние годы используется препарат хуматроп на основе ДНК - рекомбинантной технологии. Побочные эффекты от его использования наблюдаются значительно реже, так как более очищенный препарат. Используется по такой же схеме, как и СТГ в дозе 0.06 мг/кг подкожно или внутримышечно длительно (годами). В ряде случае удается выйти на недостаточность СТГ, связанную с дефицитом рилизинг-фактором. В этом случае вводятся препараты содержащие эти факторы. Существуют несколько подходом к терапии: это использование только СТГ и чередование курсов СТГ и анаболических гормонов (нерабол, ретаболил, метандростенолон) курсами по 3 недели. Некоторые авторы рекомендую одномоментное назначение тех - и других. Третья схема - это чередование СТГ и тиреоидных гормонов тех случаях, когда у ребенка выявляется и дефицит тиреоидных гормонов. Наряду с этим ребенок должен находится на полноценном питании, получать витаминные препараты, биостимуляторы, ферменты и прочие симптоматические средства. открыть »

Эндогенные психозы

Фиксировали также отсутствие эффекта/ ухудшение. Больные с такой оценкой были отнесены к нон-респондерам (т.е. к больным безположительного результата лечения). При оценке выраженности побочных эффектов были выделеныследующие 4 градации: 1 - побочные эффекты отсутствуют, 2 - побочные эффекты есть, но они не оказывают заметного влияния на деятельность больного, 3 - побочныеэффекты есть и они оказывают существенное влияние на деятельность больного, 4 - влияние побочных эффектов на больного превосходит по своим последствиямтерапевтический эффект. Как известно, при использовании шкалы общего клинического впечатления степень выраженности терапевтического и побочных эффектовоценивается совместно в баллах от 1 до 16 (1 балл - выраженный эффект при отсутствии побочного действия, 16 - отсутствие эффекта и выраженные побочныедействия), т.е. чем больше балл, тем хуже клиническое впечатление (результат) от применения препарата. Результаты и обсуждение Синдромально больные были подобраны таким образом, чтобыможно было оценить антипсихотическое, стимулирующее и антидепрессивное действие флюанксола при состояниях с различной степенью остроты и выраженностипсихотической симптоматики, а также определить возможность его использования при терапевтической резистентности и непереносимости других препаратов. открыть »

Инновационный менеджмент в фармацевтической компании

Другой пример консерватизма – структура рынка лекарств для лечения депрессии. Этот сегмент, как и 20 лет назад, на 75% занят весьма эффективными, но обладающими множеством неприятных побочных эффектов препаратами – трициклическими антидепрессантами. Около десяти лет интенсивных усилий нескольких крупных иностранных фармацевтических компаний по внедрению новых препаратов (селективных ингибиторов обратного захвата серотонина) привели к интересному эффекту: знание продукта среди целевой группы (врачей-психиатров) во много раз превышает его использование. Впрочем, консерватизм рынка имеет именно избирательный характер: например, бурный рост соответствующих сегментов рынка вызвало появление медикаментов для лечения хронической венозной недостаточности, уже упоминавшейся выше мужской эректильной дисфункции, хондропротекторов . Небольшая роль государства в лекарственном обеспечении – еще одна особенность российского рынка, требующая учета при планировании новаций. Так, уже упоминавшиеся выше новые антидепрессанты оказались весьма ограничены в объемах сбыта, потому что, в отличие от США и Западной Европы, не входят в перечни средств, отпускаемых бесплатно или со скидкой.Таким образом, внедрение новых фармацевтических продуктов на российский рынок лекарств требует учета его особенностей, и может сопровождаться появлением «локализованной версии» глобальной стратегии продвижения продукта. открыть »